规格
种类 | 测量中心距离200mm型 | 测量中心距离400mm型 | ||
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型 号 |
NPN 输出 |
HG-C1200 | HG-C1400 | |
PNP 输出 |
HG-C1200-P | HG-C1400-P | ||
符合规则 | EMC适合指令、FDA规则 | |||
测量中心距离 | 200mm | 400mm | ||
测量范围 | ±80mm | ±200mm | ||
重复精度 | 200μm | 300μm(测量距离200~400mm) 800μm(测量距离400~600mm) |
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直线性 | ±0.2%F.S. | ±0.2%F.S.(测量距离200~400mm) ±0.3%F.S.(测量距离400~600mm) |
||
温度特性 | 0.03% F.S./℃ | |||
光源 | 红色半导体激光 2级[JIS/IEC/GB/FDA(注2)] *大输出:1mW、投光波峰波长:655nm |
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光束直径 (注3) |
约ø300μm | 约ø500μm | ||
电源电压 | 12~24V DC±10% 脉动P-P10%以下 | |||
消耗电流(注4) | 40mA以下(电源电压24V DC时)、65mA以下(电源电压12V DC时) | |||
控制输出 | ||||
输出动作 | 入光时ON/非入光时ON 可切换 | |||
短路保护 | 配备(自动恢复) | |||
模拟输出 | 模拟电压输出 | 输出范围:0~5V(报警时:+5.2V) 输出阻抗:100Ω |
||
模拟电流输出(注5) | 输出范围:4~20mA(报警时:0mA) 输出阻抗:300Ω |
|||
反应时间 | 1.5ms/5ms/10ms 可切换 | |||
外部输入 | 〈NPN输出型〉 NPN无接点输入 输入条件 无效:+8~+V DC或开路 有效:0~+1.2V DC 输入阻抗:约10kΩ |
|||
污损度 | 2 | |||
使用标高 | 2,000m以下 | |||
耐 环 境 性 |
保护构造 | IP67(IEC) | ||
使用环境 温度 |
-10~+45℃(注意不可结露、结冰)、储存时:-20~+60℃ | |||
使用环境 湿度 |
35%RH~85%RH、储存时:35%RH~85%RH | |||
使用环境 照度 |
白炽灯:受光面照度3,000 lx以下 | |||
耐振动 | 耐久10~55Hz(周期1分钟) 双振幅1.5mm XYZ各方向2小时 | |||
耐冲击 | 耐久500m/s2(约50G) XYZ各方向3次 | |||
电缆 | 0.2mm2 5芯复合电缆,长2m | |||
延长电缆 | 0.3mm2以上电缆 *多延长至全长10m | |||
材质 | 本体外壳:压铸铝 前罩:丙烯基 | |||
重量 | 本体重量:约35g(不含电缆),约85g(含电缆) |
(注1): | 未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC 环境温度:+20℃ 响应时间:10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。 |
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(注2): | 根据FDA规则中Laser Notice No.50(2007.6.24)规定,以FDA规则(21 CFR 1040.10以及1040.11)为基准。 |
(注3): | 测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。 如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。 |
(注4): | 从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。 2016年5月前生产的产品: 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) |
(注5): | 从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。 |
种类 | 测量中心距离30mm型 | 测量中心距离50mm型 | 测量中心距离100mm型 | |
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型 号 |
NPN 输出 |
HG-C1030 | HG-C1050 | HG-C1100 |
PNP 输出 |
HG-C1030-P | HG-C1050-P | HG-C1100-P | |
符合规则 | EMC适合指令、FDA规则 | |||
测量中心距离 | 30mm | 50mm | 100mm | |
测量范围 | ±5mm | ±15mm | ±35mm | |
重复精度 | 10μm | 30μm | 70μm | |
直线性 | ±0.1% F.S. | |||
温度特性 | 0.03% F.S./℃ | |||
光源 | 红色半导体激光 2级(JIS/IEC/GB)/Ⅱ级(FDA)(注2) *大输出:1mW、投光波峰波长:655nm |
|||
光束直径 (注3) |
约ø50μm | 约ø70μm | 约ø120μm | |
电源电压 | 12~24V DC±10% 脉动P-P10%以下 | |||
消耗电流(注4) | 40mA以下(电源电压24V DC时)65mA以下(电源电压12V DC时) | |||
控制输出 | 〈NPN输出型〉 NPN开路集电极晶体管 *大流入电流:50mA 外加电压:30V DC以下(控制输出-0V之间) 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA时) 漏电流:0.1mA以下 〈PNP输出型〉 PNP开路集电极晶体管 *大源电流:50mA 外加电压:30V DC以下(控制输出-+V之间) 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA时) 漏电流:0.1mA以下 |
|||
输出动作 | 入光时ON/非入光时ON 可切换 | |||
短路保护 | 配备(自动恢复) | |||
模拟输出 | 模拟电压输出 | 输出范围:0~5V(报警时:+5.2V) 输出阻抗:100Ω |
||
模拟电流输出(注5) | 输出范围:4~20mA(报警时:0mA) 输出阻抗:300Ω |
|||
反应时间 | 1.5ms/5ms/10ms 可切换 | |||
外部输入 | 〈NPN输出型〉 NPN无接点输入 输入条件 无效:+8~+V DC或开路 有效:0~+1.2V DC 输入阻抗:约10kΩ |
|||
污损度 | 2 | |||
使用标高 | 2,000m以下 | |||
耐环境性 | 保护构造 | IP67(IEC) | ||
使用环境 温度 |
-10~+45℃(注意不可结露、结冰)、存储时20~+60℃ | |||
使用环境 湿度 |
35%RH~85%RH,存储时:35%RH~85%RH | |||
使用环境 照度 |
白炽灯:受光面照度3,000 lx以下 | |||
电缆 | 0.2mm2 5芯复合电缆,长2m | |||
材质 | 本体外壳:压铸铝 前罩:丙烯基 | |||
重量 | 本体重量:约35g(不含电缆),约85g(含电缆) |
(注1): | 未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC 环境温度:+20℃ 响应时间:10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。 |
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(注2): | 根据FDA规则中Laser Notice No.50(2007.6.24)规定,以FDA规则(21 CFR 1040.10以及1040.11)为基准。 |
(注3): | 测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。 如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。 |
(注4): | 从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。 2016年5月前生产的产品: 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) |
(注5): | 从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。 |
种类 | 测量中心距离50mm型 | |||
---|---|---|---|---|
型 号 |
NPN 输出 |
HG-C1050L | ||
PNP 输出 |
HG-C1050L-P | |||
测量中心距离 | 50mm | |||
测量范围 | ±4mm | |||
重复精度 | 20μm | |||
直线性 | ±0.3% F.S. | |||
温度特性 | 0.03% F.S./℃ | |||
光源 | 红色半导体激光 1级(JIS/IEC/GB) *大输出:0.2mW、发光光束波长:655nm |
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光束直径 (注2) |
约ø150μm | |||
受光元件 | CMOS图形传感器 | |||
电源电压 | 12V~24V DC±10% 脉动P-P10% | |||
消耗电流 | 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) | |||
控制输出 | 〈NPN输出型〉 NPN开路集电极晶体管 *大流入电流:50mA 外加电压:30V DC以下(控制输出和0V之间) 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA下) 漏电流:0.1mA以下 〈PNP输出型〉 PNP开路集电极晶体管 *大源电流:50mA 外加电压:30V DC以下(控制输出和+V之间) 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA下) 漏电流:0.1mA以下 |
|||
输出动作 | 入光时ON/非入光时ON 可切换 | |||
短路保护 | 配备(自动恢复) | |||
模拟输出 | 电压 | 输出范围:0V~5V(报警时:+5.2V) 输出阻抗:100Ω |
||
电流 | 输出范围:4mA~20mA(报警时:0mA) 负载阻抗:300Ω*大 |
|||
反应时间 | 1.5ms/5ms/10ms 可切换 | |||
外部输入 | 〈NPN输出型〉 NPN无接点输入 输入条件 无效:+8V~+V DC或者开放 有效:0V~+1.2V DC 输入阻抗:约10kΩ |
|||
保护构造 | IP67(IEC) | |||
污染度 | 2 | |||
使用环境温度 | -10℃~+45℃(注意不可结露、结冰)、存储时:-20℃~+60℃ | |||
使用环境湿度 | 35%RH~85%RH、存储时:35%RH~85%RH | |||
使用环境照度 | 白炽灯:受光面照度3,000 lx以下 | |||
使用标高 | 2,000m以下 | |||
电缆 | 0.2mm2 5芯复合电缆长2m | |||
材质 | 本体外壳:铝铸件 前面盖板:丙烯基 | |||
重量 | 约35g(不含电缆)、约85g(含电缆) | |||
适用规格 | 符合EMC指令 |
(注1): | 未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC、环境温度:+20℃、反应时间:10ms、测量中心 距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。 |
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(注2): | 该值为测量中心距离上的值。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义这些值。如果定义区域外有漏光,并且 检测点范围有高于检测点本身的强反射,检测结果可能会受到影响。 |
(注3): | 测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。 如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。 |