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[VIP第4年] 指数:4
通过认证 
CPU ST40, DC/DC/DC, 24DI/16DO
技术数据
| SIMATIC S7-200 SMART,CPU ST40, CPU,DC/DC/DC, onboard I/O: 24 DI DC 24V;16DO 24V DC; 电源:直流 20.4-28.8V DC, 程序/数据存储器 40 KB | ||
| STEP 7 Micro/WIN SMART | ||
| 否 | ||
| 无 | ||
| 是; 标准导轨 | ||
| 24 V DC | ||
| 是 | ||
| 20.4 V | ||
| 28.8 V | ||
| 否 | ||
| 否 | ||
| 680 mA; 24 V DC | ||
| 11.7 A; 28.8 V 时 | ||
| 300 mA; 24 V DC 传感器电源 | ||
| 1.4 A; *大 5 V DC，用于 EM 总线 | ||
| 18 W | ||
| DDR | ||
| 是 | ||
| 是 | ||
| 16 kbyte | ||
| 24 kbyte; 程序存储器 | ||
| 是; microSDHC 卡（可选） | ||
| 150 ns; / 说明 | ||
| 1.2 µs; / 说明 | ||
| 3.6 µs; / 说明 | ||
| 144 byte; 256 位数字量输入和 56 字模拟量输入 | ||
| 144 byte; 256 位数字量输出和 56 字模拟量输出 | ||
| 硬件时钟，未缓冲 | ||
| 是 | ||
| 7 d | ||
| 4 s; 25 °C 时在 120s/月范围内 | ||
| 24 | ||
| DC | ||
| 24 V | ||
| I0.0 到 I0.3 < 1 V DC；I0.4 到 I2.7 < 5 V DC | ||
| I0.0 到 I0.3 > 4V；I0.4 到 I2.7 > 15V | ||
| 4 mA | ||
| 500 m; 50 m 屏蔽，HSC 输入端 | ||
| 300 m | ||
| 16; 晶体管 | ||
| 3 | ||
| 否 | ||
| 0.5 A | ||
| 5 W | ||
| 500 m | ||
| 150 m | ||
| 1 | ||
| 1 | ||
| 以太网 | ||
| RJ45 | ||
| 是; 隔离的变压器，1500V AC | ||
| 是; 10/100 Mbit/s | ||
| 是 | ||
| 是 | ||
| RS 485（*大 187.5 Mbps） | ||
| 是 | ||
| 是 | ||
| 是 | ||
| 是 | ||
| 4; 对于单相，200 kHz 时为 4 个 HSC；对于 A/B 相，100 kHz 时为 2 个 HSC | ||
| 是; PID 闭环控制功能：连续控制器输出，二进制控制器输出，自动/手动模式，*多 8 个回路 | ||
| 是 | ||
| 8 kV | ||
| 4 kV | ||
| 是; 10 V/m，80 至 1000 MHz（符合 IEC 61000-4-3）；10 V/m，900 MHz，1.89 GHz,50 % ED（符合 IEC 61000-4-3） | ||
| 是; 2 kV 符合 IEC 61000-4-4，脉冲 | ||
| 是; ±2 kV 符合 IEC 61000-4-4，脉冲 | ||
| 是; 10 V，150 kHz 到 80 MHz（根据 IEC 61000-4-6） | ||
| 是; EN 61000-6-4，发射干扰：在工业领域中使用。 | ||
| EN 61000-6-4，发射干扰：在工业领域中使用。 | ||
| 是 | ||
| 是 | ||
| 0.3 m; 五个，在发货包装内 | ||
| 0 °C 至 55 °C 水平安装、0 °C 至 45 °C 垂直安装 | ||
| 55 °C | ||
| 0 °C | ||
| 55 °C | ||
| 0 °C | ||
| 45 °C | ||
| -40 °C | ||
| 70 °C | ||
| 660 hPa | ||
| 1 080 hPa | ||
| -1000 至 2000 m | ||
| 95 % | ||
| 是 | ||
| 是 | ||
| 是 | ||
| 125 mm | ||
| 100 mm | ||
| 81 mm | ||
| 410.3 g | ||
